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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
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 | A2T20H160W04NR3 | 841-A2T20H160W04NR3 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1880-2025 MHz, 28 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 | ||
 | TGF2060 | 772-TGF2060新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.4dB Gain 12dB P1dB 28dBm | 数据表 | 无库存 | 最低： 100 倍数： 100 |  详细信息 | |
 | BFP 540ESD H6327 | 726-BFP540ESDH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 1169 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | T2G6003028-FL | 772-T2G6003028-FL新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 30 Watt 28V GaN Flanged | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| PTFB090901EAV2R0XTMA1 | 726-PTFB090901EAV2R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| PTAC260302FCV1XWSA1 | 726-PTAC260302FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
| MRF587 | 974-MRF587新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 56 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
.JPG) | PD84008L-E | 511-PD84008L-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 862 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| AGR26180EF | 974-AGR26180EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.535-2.655GHz27Watt Gain 12.5dB | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | ||
| BFY740B01PB4SA1 | 726-BFY740B01PB4SA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
| PTFB183404FV2R0XTMA1 | 726-PTFB183404FV2R0X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 | |
 | MMBF5485 | 512-MMBF5485新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | NPT2021 | 937-NPT2021新产品 | MACOM | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.5GHz 45W Gain 16.5dB GaN HEMT | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| PTFB090901EAV2R250XTMA1 | 726-PTFB090901EAV2R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 250 倍数： 250 | ||
 | MRFE6VP8600HR5 | 841-MRFE6VP8600HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V | 数据表 | 161 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| BFP 650F H6327 | 726-BFP650FH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5538 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFU530XRVL | 771-BFU530XRVL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | MRF085HR5 | 841-MRF085HR5新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 High Ruggedness N--Channel | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| A2T20H330W24SR6 | 841-A2T20H330W24SR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1880-2025 MHz, 58 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 | |
 | BF1201WR,135 | 771-BF1201WR135新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | MRF6V2300NBR5 | 841-MRF6V2300NBR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W Latrl N-Ch SE Broadband MOSFET | 数据表 | 185 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | ||
 | BF992,215 | 771-BF992-T/R新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH DUAL GATE 20V VHF | 数据表 | 3820 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | MRF315A | 974-MRF315A新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 3 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFU530WF | 771-BFU530WF新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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