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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TGF3015-SM | 772-TGF3015-SM 新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 |  详细信息 | |
 | BF888H6327XTSA1 | 726-BF888H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0252 10：¥3.2712 100：¥1.9952 1,000：¥1.5428 3,000：¥1.3224 9,000：¥1.2296 24,000：¥1.16 45,000：¥1.13796 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLA1011S-200R,112 | 771-BLA1011S-200R11新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TRANS LDMOS NCH 75V | 数据表 | 无库存 | 60：¥2,533.6952 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | BF1202R,215 | 771-BF1202R215新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0252 10：¥3.2944 100：¥2.0068 1,000：¥1.5544 3,000：¥1.3224 9,000：¥1.2412 24,000：¥1.1716 45,000：¥1.13796 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MRF6VP121KHSR5 | 841-MRF6VP121KHSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230HS | 数据表 | 无库存 | 50：¥4,397.5484 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| PTFB211503FLV2R0XTMA1 | 726-PTFB211503FLV2R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥594.8944 100：¥553.9464 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BF1102R,115 | 771-BF1102R115新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥5.3824 10：¥4.466 100：¥2.8768 1,000：¥2.3084 3,000：¥1.9488 9,000：¥1.8792 24,000：¥1.8096 45,000：¥1.7748 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MMRF1004NR1 | 841-MMRF1004NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1600-2200 MHz 10 W 28 V | 数据表 | 500 有库存 | 1：¥226.7684 5：¥216.7576 10：¥209.1712 25：¥182.5492 100：¥178.6052 250：¥171.1696 500：¥157.4468 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFB182557SHV1R250XTMA1 | 726-PTFB182557SHV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥768.50 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | BFS 483 H6327 | 726-BFS483H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 3000 有库存 | 1：¥4.93 10：¥4.06 100：¥2.6216 1,000：¥2.0996 3,000：¥1.7748 9,000：¥1.7052 24,000：¥1.6356 45,000：¥1.6124 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU550XRR | 771-BFU550XRR新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 1815 有库存 | 1：¥2.726 10：¥2.204 100：¥1.12984 1,000：¥0.84912 3,000：¥0.6148 9,000：¥0.56144 24,000：¥0.52316 45,000：¥0.48488 99,000：¥0.45472 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MS1261 | 494-MS1261新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥666.4084 5：¥646.236 10：¥627.2004 25：¥587.9924 50：¥573.968 100：¥560.5352 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFB212507SHV1R250XTMA1 | 726-PTFB212507SHV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BLC8G27LS-240AVU | 771-BLC8G27LS-240AVU新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 60：¥926.55 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | CGHV40030F | 941-CGHV40030F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt | 数据表 | 96 有库存 | 1：¥1,139.7348 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| AGR19045EF | 974-AGR19045EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.93-1.99GHz 9.5Watt Gain 15dB | 无库存 | 1：¥419.0152 5：¥384.5168 10：¥345.0768 25：¥305.6368 50：¥276.0568 100：¥266.1968 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | NPT1010B | 937-NPT1010B新产品 | MACOM | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.0GHz P1dB 49dBm Gain 19.7dB GaN | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,756.1252 10：¥2,654.0452 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| DU2840V | 937-DU2840V新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 25：¥544.9216 | 最低： 25 倍数： 25 | |
| PTVA120501EAV1R0XTMA1 | 726-PTVA120501EAV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥502.8252 100：¥466.0416 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| BFY450 (P) | 726-BFY450P新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HiRel NPN Silicon RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | PD85035STR1-E | 511-PD85035STR1-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic | 数据表 | 无库存 | 600：¥179.4404 | 最低： 600 倍数： 600 | 详细信息 |
 | MAAM-009455-TR1000 | 937-MAAM-009455T1新产品 | MACOM | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dB | 数据表 | 无库存 | 1,000：¥49.068 | 最低： 1000 倍数： 1000 | 详细信息 |
| MMRF5017HSR5 | 771-MMRF5017HR5新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 50V GaN on Sic 90W CW 3MHz-1GHz | 50 有库存 | 1：¥1,680.5616 5：¥1,643.0936 10：¥1,609.4884 25：¥1,585.7548 50：¥1,528.1144 | 最低： 1 倍数： 1 | ||
| CFY2520PESZZZA1 | 726-CFY2520PESZZZA1新产品 | Infineon Technologies | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 HIREL | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 |
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